內(nèi)存市場現(xiàn)狀與裝機(jī)選擇內(nèi)存科普
強(qiáng)烈建議新裝機(jī)選擇DDR5內(nèi)存
如開篇所述，目前無論是intel還是AMD，目前都在全力推DDR5內(nèi)存，除了像是性價比裝機(jī)中的AMD 5800X3D或12400F/12490F超外頻還會選擇DDR4內(nèi)存之外，我個人對新裝機(jī)用戶強(qiáng)烈建議選擇DDR5的主板與內(nèi)存，這樣你可以避免未來升級硬件時的沉沒成本。
DDR5內(nèi)存顆粒簡介
與DDR4時代三星B-Die顆粒獨占鰲頭，SK海力士與美光的顆粒緊隨其后不同，在DDR5時代高端內(nèi)存顆粒基本被SK海力士所壟斷，美光尚能推出少量中端內(nèi)存，三星目前基本上只能夠在低端內(nèi)存與筆記本內(nèi)存上鋪量。
目前SK海力士的DDR5內(nèi)存顆粒主要分為兩種，分別是單顆容量2GB（DRAM密度為16Gbit）的A-Die顆粒與與單顆容量3GB（DRAM密度為24Gbit）的全新M-Die顆粒，兩款顆粒的超頻能力都不差。當(dāng)然，單顆容量2GB的海力士A-Die顆粒的超頻潛力更強(qiáng)，簡單來說，A-Die顆粒相對于新一代的M-Die顆粒更好壓時序，這點在同品牌同頻率內(nèi)存的XMP參數(shù)上可見一斑。
▲比如宏碁掠奪者的Hermes冰刃系列，采用海力士A-Die顆粒的7200MHz內(nèi)存，其XMP時序為CL34，而XMP頻率為7200MHz的海力士新一代M-Die顆粒內(nèi)存時序則為CL36，因此，如果想要極限超頻或者極限壓低內(nèi)存時序的朋友，請選擇特挑海力士A-Die顆粒內(nèi)存。
▲而M-die超頻潛力也很強(qiáng)，其單顆粒容量3GB，因此可以制作成單面24GB或雙面48GB的內(nèi)存，最高可為4槽主板提供192GB容量的內(nèi)存。（雖然現(xiàn)在金士頓等廠家推出了單根64GB內(nèi)存，可為4槽主板提供最高256GB容量，但是現(xiàn)在市場上還買不到對應(yīng)內(nèi)存，姑且不表）