三星宣布啟動首批第九代V-NA
4 月 23 日消息，三星半導(dǎo)體今日宣布，其第九代1Tb TLC V-NAND閃存已開始量產(chǎn)。
三星電子閃存產(chǎn)品與技術(shù)主管SungHoi Hur表示：“我們很高興推出三星首款第九代V-NAND產(chǎn)品，這將為未來應(yīng)用的飛速發(fā)展提供新的可能性。為了滿足持續(xù)演進的NAND閃存解決方案需求，三星在新型閃存的單元架構(gòu)和操作方案上實現(xiàn)了重大突破。”
據(jù)悉，第九代V-NAND閃存憑借其超小的單元尺寸和極致的疊層厚度，實現(xiàn)了比上一代產(chǎn)品高約50%的位密度。新技術(shù)的運用，如單元干擾避免和單元壽命延長，不僅提升了產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性，而且通過消除虛通道孔顯著減少了存儲單元的平面面積。
此外，三星展現(xiàn)了其在制造工藝上的卓越能力，通過采用先進的“通道孔蝕刻”技術(shù)，該技術(shù)能夠在雙層結(jié)構(gòu)中同時鉆孔，達到業(yè)界最高的單元層數(shù)，從而最大限度地提高了生產(chǎn)效率。隨著閃存單元層數(shù)的增加，對更復(fù)雜蝕刻技術(shù)的需求也日益凸顯。
值得一提的是，第九代V-NAND還配備了新一代的NAND閃存接口“Toggle 5.1”，使數(shù)據(jù)傳速速度提升了33%，最高可達到每秒3.2Gbps。同時，三星還計劃通過增強對PCIe 5.0的支持來進一步鞏固在高性能固態(tài)硬盤市場的地位。
與上一代相比，第九代V-NAND還在低功耗設(shè)計上取得了顯著進步，功耗降低了10%，這一改進使得新型閃存成為未來低能耗應(yīng)用的理想選擇。
目前，三星已經(jīng)開始了第九代1Tb TLC V-NAND的量產(chǎn)，并計劃在今年下半年推出四層單元（QLC）的第九代V-NAND產(chǎn)品。