新一代內(nèi)存技術(shù)Compute Express Link ( CXL ) 備受關(guān)注，三星電子正積極與客戶合作以取得競爭優(yōu)勢。
SK海力士也在加速開發(fā)相關(guān)技術(shù)，將CXL定位為巨頭爭奪的關(guān)鍵技術(shù)。
三星近日宣布與聯(lián)想合作，成功開發(fā)出業(yè)界首款CXL內(nèi)存模塊128GB CMM-D，采用12nm級32Gb DDR5 DRAM，與上一代產(chǎn)品相比，帶寬提升10%，延遲改善20%。
CXL基于PCIe技術(shù)，將CPU、GPU和加速器等各種設(shè)備連接到內(nèi)存，通過模塊化添加可以擴大內(nèi)存容量和帶寬。
與通過增強單芯片性能來加速AI計算的HBM不同，CXL DRAM允許多臺服務(wù)器共享內(nèi)存，從而同時提高容量和速度。
三星正與聯(lián)想密切合作，在搭載英特爾至強6處理器的服務(wù)器上驗證該技術(shù)，并計劃讓聯(lián)想系統(tǒng)采用三星的CXL技術(shù)應(yīng)用于人工智能和高性能計算 (HPC) 領(lǐng)域，從而提升盈利能力。
目前，三星在內(nèi)存領(lǐng)域尚未通過英偉達的HBM3E測試，SK海力士占據(jù)了市場主導地位。
業(yè)內(nèi)分析，面對這一挑戰(zhàn)，三星將把CXL等先進工藝和技術(shù)視為復蘇的關(guān)鍵，并將繼續(xù)加大投資。
與此同時，SK海力士也在大步邁進，目標是在2024年下半年實現(xiàn)96GB和128GB CXL 2.0模塊的商業(yè)化。
2024年5月，該公司推出了CMM-DDR5，與現(xiàn)有的DDR5相比，帶寬提高了50%，容量增加了一倍，同時還推出了Niagara 2.0，這是一種鏈接多個CXL內(nèi)存單元的池化內(nèi)存解決方案。
隨著生成式人工智能對數(shù)據(jù)的需求不斷增長，CXL市場預計將大幅增長。
Yole預測，到2028年， CXL市場規(guī)模將從2022年的170萬美元擴大到150億美元，行業(yè)預計CXL將解決半導體領(lǐng)域與高性能和高容量相關(guān)的長期挑戰(zhàn)。